Влияние формы тонкопленочного магнитного элемента на величину поля записи в запоминающей матрице

Рассматривается зависимость угла разброса направлений легкого намагничивания, величины эффективного поля анизотропии и поля записи от формы тонкопленочных запоминающих элементов матрицы. Приводятся результаты вычислений разброса направлений легкого намагничивания и эффективного поля анизотропии для запоминающих элементов различной формы.