Магниторезистивные структуры для искусственного нейрона

Рассматриваются принципы действия, структуры и теоретические характеристики искусственного нейрона без активирующей функции, состоящего из последовательно включенных запоминающих элементов на основе многослойных тонкопленочных анизотропных, спин-вентильных (spin-valve) и спин-туннельных (spin-tunneling) магниторезистивных структур. Приведены примеры подобных нейронов на основе вышеприведенных запоминающих элементов с оптимальными параметрами. Проведена оценка перспективности каждого из трех типов нейрона.