Гальваномагнитные датчики. Состояние и перспективы развития

Рассматриваются физические основы и принципы построения магнитных датчиков электрических, магнитных, механических и других физических величин на основе различных гальваномагнитных эффектов, наблюдаемых как в полупроводниках, так и в любых проводниках. Основное внимание уделяется рассмотрению современного состояния гальваномагнитных датчиков, тенденций и перспектив их дальнейшего развития и практического применения, в том числе на основе новых материалов, технологий, схемотехнических решений и физических эффектов. В этой связи подробно рассмотрены полупроводниковые магниточувствительные интегральные схемы, в которых чувствительные элементы датчика и их электронное обрамление, часто выполняющие некоторые интеллектуальные функции, изготовляются в едином технологическом процессе. Из числа новых физических эффектов, наиболее перспективных для дальнейшего развития и применения гальваномагнитных датчиков, подробно рассматриваются гигантский магниторезистивный эффект в тонких магнитных пленках и спинвентильный эффект.