Анализ методов управления и работоспособности спин-вентильных магниторезистивных запоминающих элементов

Анализируются методы управления и работоспособность спин-вентильных (spin-valve) тонкопленочных многослойных магниторезистивных запоминающих элементов (МРЗЭ) и определяются особенности основных прогнозируемых типов МРЗЭ.
Сравниваются МРЗЭ, отличающиеся способами создания пленок с разными полями перемагничивания в соседних ферромагнитных слоях, а также структуры элементов с различной топологией элементов хранения и считывания.