Перспективные спин-вентильные магниторезистивные запоминающие элементы

Исследуется возможность создания и предлагаются перспективные спин-вентильные (spin-valve) магниторезистивные запоминающие элементы (СВ МРЗЭ).
Для использования спин-вентильного эффекта предлагается тонкопленочная структура из высокоанизотропной и низкоанизотропной магнитомягких пленок на основе широко используемых в настоящее время сплавов.
Проводится анализ способа управления СВ МРЗЭ. Предлагается способ управления, предъявляющий менее высокие требования к разбросу параметров МРЗЭ, чем известные способы, и позволяющий увеличить сигнал считывания и расширить диапазоны токов управления при высокой информационной плотности.