С. И. Касаткин, А. М. Муравьёв, Н. В. Плотникова, В. В. Амеличев, А. И. Галушков, И. А. Гамарц, В. В. Лопатин, А. Н. Сауров, “Анизотропные магниторезистивные датчики магнитного поля и тока”, Автомат. и телемех., 2009, выпуск 6,страницы 141

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Технические средства в управлении

Анизотропные магниторезистивные датчики магнитного поля и тока

С. И. Касаткин^a, А. М. Муравьёв^a, Н. В. Плотникова^a, В. В. Амеличев^b, А. И. Галушков^b, И. А. Гамарц^b, В. В. Лопатин^b, А. Н. Сауров^b

^a Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, Москва
^b НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва

Аннотация: Представлены результаты работы в области исследования и создания тонкопленочных анизотропных магниторезистивных датчиков (АМРД) магнитного поля и тока на основе однослойной или двухслойной металлической ферромагнитной наноструктуры, с толщиной магнитной пленки 12–25 нм. Рассмотрены вопросы проектирования конструкций АМРД и их работоспособности с исследованием основных характеристик и технологии их изготовления.

PACS: 42.81.Pa

Статья представлена к публикации членом редколлегии: Б. В. Лункин

Поступила в редакцию: 18.03.2008