Аннотация:
Излагаются принципы построения математической модели полупроводникового фотоприемника, предназначенного для работы в составе специализированных систем технического зрения в режиме сканирования оптическим сечением. Составлена система уравнений с частными производными, описывающая физические процессы, протекающие в отдельных конструктивно заданных участках структуры фотоприемника. Общее решение найдено как суперпозиция частных решений, относящихся
к различным сочетаниям физических воздействий на структуру – внешнего светового и внутреннего электрического полей – на этих участках. Приведены семейства рассчитанных и экспериментально полученных выходных координатных характеристик фотоприемника. Адекватность модели подтверждается сходством этих характеристик. Модель может быть использована на различных стадиях проектирования и эксплуатации фотоприемников данного класса.
PACS:42.30.Tz
Статья представлена к публикации членом редколлегии:Б. В. Лункин