Аннотация:
Рассматриваются физические процессы в обратно-смещенном $p-n$ переходе фотодиода, работающего в режиме накопления заряда и при воздействии «засветки». Отмечаются преимущества режима накопления перед режимом мгновенного фотоответа. Предлагается схема, реализующая режим накопления с применением кремниевого фотодиода ФД-7К. Описывается экспериментальная установка, позволяющая производить выставку уровней регистрации световых потоков и калибровку измерителя слабых световых потоков на длине волны 700 нм. Приводятся характеристики измерителя мощности на фотодиоде в режиме накопления для постоянных и импульсных световых потоков в диапазоне от $10^{-4}$ до $10^{-8}$ Вт.