М. А. Абдукадыров, З. Т. Азаматов, Н. А. Ахмедова, А. С. Ганиев, Р. А. Муминов, “Свойства $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетерофотопреобразователей с голографическим концентратором”, Comp. nanotechnol., 2017, выпуск 1,страницы 50

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Свойства $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетерофотопреобразователей с голографическим концентратором

М. А. Абдукадыров^a, З. Т. Азаматов^b, Н. А. Ахмедова^a, А. С. Ганиев^a, Р. А. Муминов^c

^a Ташкентский университет информационных технологий
^b Ташкентский Государственный Технический университет
^c Физико-Технический Институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан

Аннотация: Изучены фотоэлектрические процессы в $\mathrm{GaAs/AlGaAs}$ гетероструктурных солнечных элементах со спектральной чувствительностью в диапазоне $450\leq\lambda\leq850$ нм при освещении голографическим концентратором. Показано, что с ростом концентрации солнечного потока до $10$ крат при линейном росте тока короткого замыкания напряжение холостого хода и коэффициент полезного действия достигает своего максимального значения.

Ключевые слова: солнечный элемент, полупроводник, арсенид галлия, спектральный диапазон, ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, голографический концентратор.