М. А. Абдукадыров, Н. А. Ахмедова, А. С. Ганиев, Р. А. Муминов, “Тепловые свойства GaAs/ALGaAs солнечных элементов, «прозрачных» за длинноволновым краем основной полосы поглощения”, Comp. nanotechnol., 2017, выпуск 3,страницы 22

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Тепловые свойства GaAs/ALGaAs солнечных элементов, «прозрачных» за длинноволновым краем основной полосы поглощения

М. А. Абдукадыров^a, Н. А. Ахмедова^a, А. С. Ганиев^a, Р. А. Муминов^b

^a Ташкентский университет информационных технологий
^b Физико-Технический Институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан

Аннотация: Работа посвящена исследованию тепловых свойств солнечных элементов на основе GaAs/AlGaAs/GaP гетероструктур с общей толщиной сильно поглощающего GaAs слоя, не превышающей суммы длины диффузии неосновных носителей заряда и двусторонней контактной сеткой. Показано, что на основе подобных гетероструктур можно реализовать солнечные элементы, работающие в режиме естественно-конвективного теплообмена до 100 кратной концентрации солнечного потока.

Ключевые слова: гетероструктура, твердый раствор, ширина запрещенной зоны, узкозонный полупроводник коэффициент теплопроводности, температурный коэффициент.