Аннотация:
В данной работе представлена оптимизация технологии изготовления полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов рентгеновского излучения большого размера на основе Si(Li) $p-i-n$- структуры и исследованы электрофизические и радиометрические характеристики.
Ключевые слова:полупроводниковый координатно-чувствительный детектор, вольтамперные, вольтфарадные, вольтшумовые и спектрометрические характеристики.