Электронная структура комплексов, состоящих из фуллеренов, их фрагментов и наночастиц диоксида кремния

Электронная структура фуллеренов $C_{60}$ и их фрагментов ($C_{50}$, $C_{40}$, $C_{30}$, $C_{20}$ и $C_{10}$), контактирующих с наночастицами диоксида кремния, изучена в рамках теории функционала плотности и метода псевдопотенциала. Показано, что свободные фрагменты фуллеренов характеризуются наличием энергетической щели между заполненными и свободными электронными состояниями. Величина этой щели сопоставима с величиной щели, присущей фуллеренам $C_{60}$, и иногда даже превышает ее. Однако при взаимодействии фрагментов фуллеренов с диэлектрическими частицами $SiO_2$ энергетическая щель может существенно уменьшаться, и электронная структура таких комплексов приближается к электронной структуре металлов, благодаря чему они могут служить эффективными поглотителями электромагнитного излучения.