RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2014, выпуск 1, страницы 11–16 (Mi cn2)

Эта публикация цитируется в 1 статье

МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОСИСТЕМ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА

На пути к моделированию больших наносистем на атомном уровне

В. Г. Заводинскийa, О. А. Горкушаb

a Институт материаловедения Хабаровского научного центра Дальневосточного отделения Российской Академии Наук
b Институт прикладной математики ДВО РАН

Аннотация: Показано, что вариационный принцип может быть использован как практический путь для нахождения электронной плотности и полной энергии в рамках теории функционала плотности без решения уравнений Кона-Шэма (так называемый безорбитальный подход). На примерах димеров Na$_2$, Al$_2$, Si$_2$, P$_2$, K$_2$, Ga$_2$, Ge$_2$ и As$_2$ найдены равновесные межатомные расстояния и энергии связи в хорошем согласии с опубликованными данными. Результаты, полученные для смешанных димеров Si-Al, Si-P, and Al-P, близки к результатам, получаемым по методу Кона-Шэма.

Ключевые слова: моделирование, функционал плотности, безорбитальный подход, димеры.



© МИАН, 2024