Численное моделирование неустойчивости молекулярной наноструктуры полупроводника в точках бифуркации вольт-амперной характеристики

Работа посвящена численному моделированию неустойчивости молекулярной наноструктуры полупроводника в точках бифуркации вольт-амперной характеристики имеющей S-форму. Исследование имеет важное значение для разработки памяти, основанной на фазовых переходах в полупроводнике. Проводится анализ модели, которая может быть положена в основу переключательного поведения молекулярной структуры наноточки. Предложена многомасштабная модель цикла работы устройства. Модель объединяет квантовую молекулярную динамику Кар-Парринелло (CPMD) с анализом динамики системы в особых точках (точках бифуркации) S-образной вольт-амперной характеристики полупроводника с отрицательной дифференциальной проводимостью. Показано, что выбранный подход позволяет моделировать полный цикл переключательного поведения наноустройств памяти основанных на фазовых переходах.