RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2019, том 6, выпуск 2, страницы 160–163 (Mi cn250)

05.14.00. ЭНЕРГЕТИКА
05.14.08 ЭНЕРГОУСТАНОВКИ НА ОСНОВЕ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ВИДОВ ЭНЕРГИИ

Computer modeling thin film growth on the surface by low energy cluster deposition

[Компьютерное моделирование роста тонких пленок на поверхности методом низкоэнергетического кластерного осаждения]

R. A. Muminova, A. M. Rasulovb, N. I. Ibragimovc

a Physical-Technical Institute, Uzbekistan Academy of Sciences
b Tashkent University of Information Technologies Ferghana branch
c Ferghana Polytechnic Institute

Аннотация: Представлен доклад о прогрессе в понимании свойств биметаллических наночастиц, их взаимодействии с поверхностями, последующем за замедлением низкой энергии, и свойств наноструктурированных материалов, образующихся с этими частицами. Наночастица содержит от нескольких атомов для самых маленьких до нескольких тысяч для самых больших, рассмотренных здесь. Свойства атома являются результатом квантования, и то же самое верно для молекул, которые они образуют. То же самое, таким образом, верно и для мельчайших наночастиц. С другой стороны, многие свойства макроскопических материалов хорошо описываются классическим подходом, и наночастицы появляются как объекты на границе поля между квантовым и классическим поведением. При изучении их свойств, используя либо квантовый, либо классический подход, методы атомного масштаба оказываются естественно хорошо подходящими. Атомы рассматриваются как отдельные объекты, взаимодействующие только через электроны внешней оболочки. Однако даже при таком приближении решение уравнения Шредингера быстро становится непомерно тяжелым, поскольку число участвующих атомов увеличивается. Для самых тяжелых элементов релятивистские эффекты делают проблему еще более тяжелой.

Ключевые слова: компьютерное моделирование, низкая энергия, кластер, осаждение, замедление, молекулярная динамика, распараллеливание, модель встроенного атома.

Язык публикации: английский

DOI: 10.33693/2313-223X-2019-6-2-160-163



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024