Аннотация:
Рассмотрен вопрос об использовании некристаллического кремния в качестве подложки эффективного солнечного элемента. Показано, что создание эффективного солнечного элемента из некристаллического кремния возможно только при больших плотностях локализованных состояний в глубине запрещенной зоны кремния. Показано, что особенно эффективное преобразование солнечной энергии в электричество возможно при сочетании в качестве компонентов гетеро-переходов некристаллического кремния и халкогенидов свинца в нано размерном состоянии. Показано, что использование некристаллического кремния в качестве подложки эффективного солнечного элемента возможно только при сочетании его
с наноразмерными халкогенидами свинца. Показано, что особенно халкогенидам свинца свойственны проявления эффектов многоэкситонной генерации и умножения носителей. Определены диапазоны проявления эффектов умножения носителей и много экситонной генерации в нановключениях халкогенидов свинца (PbS, PbSe).