RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2023, том 10, выпуск 4, страницы 110–121 (Mi cn453)

Эта публикация цитируется в 1 статье

НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ

Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures

[Электрофизические свойства солнечного элемента с нетрадиционными контактными структурами]

M. A. Askarova, E. Z. Imamovb, R. A. Muminovc

a Karakalpak State University named after Berdakh of the Ministry of Higher and Secondary Specialized Education of the Republic of Uzbekistan
b Tashkent University of Information Technologies named after Muhammad al-Khwarizmi (TUIT) of the Ministry for Development of Information Technologies and Communications of the Republic of Uzbekistan
c Physical-Technical Institute of the SPA “Physics-Sun” of the Academy of Science of Uzbekistan

Аннотация: Подробно на основе ряда экспериментальных и запатентованных работ обоснована конкурентная эффективность солнечного элемента с нетрадиционными контактными структурами. Показано, что эффективность солнечного элемента зависит от инновационного выбора его контактирующих материалов (нано размерный кристаллический халкогенид свинца и бесструктурный некристаллический кремний). Рассмотрены специфические электрофизические свойства PbX и Si, обеспечивающие значительное улучшение преобразующих свойств солнечного элемента. Представлен специфический механизм формирования контактного поля за счет участия носителей тока с локализованных дефектных энергетических состояний запрещенной зоны кремния. Решением уравнения Пуассона проведен расчет параметров контактного поля нано-гетероперехода <Si:PbХ>.

Ключевые слова: бесструктурный некристаллический кремний, нанокристаллический халкогенид свинца, нано-гетеропереход, локализованные дефектные энергетические состояния.

УДК: 621.315.592

Язык публикации: русский и английский

DOI: 10.33693/2313-223X-2023-10-4-110-121



© МИАН, 2024