RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2016, выпуск 1, страницы 40–44 (Mi cn61)

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Особенности формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

Я. А. Сычикова

Бердянский государственный педагогический университет

Аннотация: В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.

Ключевые слова: полупроводники, электрохимическое травление, кластеры, поры, стохастические системы, когерентные явления.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024