Исследование травления диоксида кремния во внеэлектродной плазме с использованием хромовой маски

Представлены результаты травления структуры Cr-SiO$_2$ в потоке внеэлектродной плазмы высоковольтного газового разряда в среде CF$_4$ + O$_2$ в соотношении 50:1 при токе разряда – I = 80 мА, ускоряющем напряжении – U = 1,2 кВ и длительности обработки в плазме – t = 5 мин. Показано, что изменения интенсивности полос рамановских спектров в процессе травления соответствуют наноструктурным изменениям тонких пленок Cr-SiO$_2$ и хромовой маски. Особенность травления заключена в удалении окисла Cr$_2$O$_3$ при увеличении молекул азота в структуре пленки Cr. Обнаружено, что продукты распыления, осажденные внутри окон маски хрома при U = 1,2 кВ и I = 80 мА, согласно полученным рамановским спектрам, представляют соединение Cr$_2$N.