RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Компьютерные исследования и моделирование // Архив

Компьютерные исследования и моделирование, 2015, том 7, выпуск 3, страницы 607–613 (Mi crm226)

Эта публикация цитируется в 1 статье

СЕКЦИОННЫЕ ДОКЛАДЫ

Memory benchmarking characterisation of ARM-based socs

[Описание тестирования памяти однокристальных систем на основе ARM]

G. T. Wrigley, R. G. Reed, B. Mellado

School of Physics, University of the Witwatersrand. 1 Jan Smuts Avenue, Braamfontein, Johannesburg, South Africa, 2000

Аннотация: Мощность вычислений традиционно находится в фокусе при разработке крупномасштабных вычислительных систем, в большинстве случаев такие проекты остаются плохо оборудованными и не могут эффективно справляться с ориентированными на высокую производительность рабочими нагрузками. Кроме того, стоимость и вопросы энергопотребления для крупномасштабных вычислительных систем всё ещё остаются источником беспокойства. Потенциальное решение включает в себя использование низко затратных процессоров ARM с маленькой мощностью в больших массивах в манере, которая обеспечивает массивное распараллеливание и высокую пропускную способность, производительность (относительно существующих крупномасштабных вычислительных проектов). Предоставление большего приоритета производительности и стоимости повышает значимость производительности оперативной памяти и оптимизации проекта до высокой производительности всей системы. Используя несколько эталонных тестов производительности оперативной памяти для оценки различных аспектов производительности RAM и кэш-памяти, мы даем описание производительности четырех различных моделей однокристальной системы на основе ARM, а именно Cortex-A9, Cortex-A7, Cortex-A15 r3p2 и Cortex-A15 r3p3. Затем мы обсуждаем значимость этих результатов для вычислений большого объема и потенциала для ARM-процессоров.

Ключевые слова: ARM-процессор, память, эталонные тесты, вычисления, ориентированные на высокую производительность, вычисления большого объема.

УДК: 004.27

Поступила в редакцию: 30.09.2014

Язык публикации: английский

DOI: 10.20537/2076-7633-2015-7-3-607-613



© МИАН, 2024