RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Доклады Академии наук // Архив

Докл. АН СССР, 1966, том 167, номер 3, страницы 559–561 (Mi dan32177)

ФИЗИКА

Влияние сильного магнитного поля на рекомбинационное излучение в полупроводниках

И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва

УДК: 538.615

Статья представлена к публикации: Д. В. Скобельцын
Поступило: 08.07.1965



© МИАН, 2024