RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Доклады Академии наук
// Архив
Докл. АН СССР,
1966
, том 167,
номер 3,
страницы
559–561
(Mi dan32177)
ФИЗИКА
Влияние сильного магнитного поля на рекомбинационное излучение в полупроводниках
И. А. Полуэктов
,
Ю. М. Попов
Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, г. Москва
УДК:
538.615
Статья представлена к публикации:
Д. В. Скобельцын
Поступило: 08.07.1965
Полный текст:
PDF файл (396 kB)
©
МИАН
, 2024