ФИЗИКА

Эффект накопления заряда в эпитаксиальных $p$ – $n$-структурах из арсенида галлия

Н. С. Дубровская, Б. А. Красюк, С. С. Мескин, Н. Ф. Недельский, В. Н. Равич, В. И. Соболев


УДК: 535.376

Статья представлена к публикации: А. П. Александров
Поступило: 22.07.1968