Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$–$310$ К”, Докл. АН СССР, 1985, том 280, номер 2,страницы 352

ФИЗИКА

Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$–$310$ К

Н. Н. Сирота^a, А. А. Сидоров^b

^a Московский гидромелиоративный институт
^b Брянский государственный педагогический институт им. И. Г. Петровского

УДК: 548.732

Поступило: 20.04.1984