ФИЗИКА

Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении

А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ю. Б. Киселев, В. А. Лукошкин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступило: 07.07.1986