Полупроводниковый датчик импульсного давления

Приведена конструкция датчиков импульсного давления на основе полупроводниковых преобразователей из твердых растворов арсенидов галлия и алюминия. Полупроводниковые датчики обладают низким выходным сопротивлением (300–500 Ом), высокой чувствительностью к давлению (0,3–0,6 В/100 МПа) и линейностью зависимости сопротивления от давления (в диапазоне 0–100 МПа нелинейность менее 1,5%). Приведены примеры регистрации давления с помощью полупроводниковых датчиков при горении пороха.