Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs

Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей $\{111\}$ $n$-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости $(\overline{111})$ As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей $\{\overline{111}\}$ GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As$_{2}$O$_{3}$ и аморфным Ga$_{2}$O$_{3}$.