RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 3, страницы 506–518 (Mi ftt10047)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Магнетизм

Признаки высокотемпературной сверхпроводимости в фрустрированных манганитах La$_{1-y}$Sm$_{y}$MnO$_{3+\delta}$ ($y$ = 0.85,1)

Ф. Н. Буханько, А. Ф. Буханько

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, г. Донецк

Аннотация: Впервые обнаружены характерные признаки сосуществования наномасштабной сверхпроводимости и флуктуирующего антиферромагнитного (АФМ) состояния типа спиновой жидкости в фрустрированных манганитах La$_{1-y}$Sm$_{y}$MnO$_{3+\delta}$ ($\delta\sim$ 0.1, $y$ = 0.85, 1.0) в виде макроскопического квантования магнитных свойств в слабых магнитных полях. Были обнаружены резкое падение и осцилляции близких по величине критических температур переходов в флуктуирующее антиферромагнитное $(T_{A})$ и сверхпроводящее $(T_{c0})$ состояния с ростом напряженности внешнего магнитного поля. Обнаружены и детально исследованы квантовые осцилляции намагниченности и магнитной восприимчивости вблизи критических температур флуктуирующих антиферромагнитных фазовых переходов $A$- и $CE$-типов. Показано, что исследованные образцы имеют свойства многокомпонентного композита, в котором при температурах $T<$ 60 K в слабых магнитных полях сосуществуют флуктуирующие зарядовые и АФМ корреляции $A$- и $CE$-типов со свойствами спиновой жидкости и небольшая доля сверхпроводящей фазы в виде изолированных и связанных туннельными джозефсоновскими контактами сверхпроводящих петель с малыми критическими токами. Предполагается существование в образцах с $y\ge$ 0.8 при температурах ниже 60 K нового неоднородного состояния допированных манганитов типа магнито-электронных жидких кристаллов с сильными квантовыми флуктуациями магнитного и электронного параметров порядка, подобного электронным жидким кристаллам в слабодопированных ВТСП-купратах.

Поступила в редакцию: 30.03.2015
Исправленный вариант: 25.08.2015


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2016, 58:3, 519–531

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024