Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и сплавов висмут-сурьма на подложках с различным температурным расширением

Исследованы температурные зависимости гальваномагнитных свойств пленок висмута и сплавов Bi$_{100-x}$Sb$_{x}$ ($x\le$ 12) на подложках с различным температурным коэффициентом расширения в интервале температур 77–300 K. Блочные пленки получены методом термического напыления, а монокристаллические пленки Bi$_{100-x}$Sb$_{x}$ – методом зонной перекристаллизации под покрытием. Установлено существенное влияние температурного коэффициента расширения подложки на гальваномагнитные свойств пленок висмута и Bi$_{100-x}$Sb$_{x}$. На основе экспериментальных результатов оценено изменение концентрации носителей заряда в пленках висмута и Bi$_{100-x}$Sb$_{x}$ на различных подложках при 77 K.