Релаксация ядерных спинов $^{29}$Si в микрокристаллах пластически деформированных образцов Si : B

Монокристаллы и микрокристаллы Si : B, обогащенные изотопом $^{29}$Si, были исследованы методами ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в диапазоне температур 300–800 K. Установлено, что повышение температуры от 300 до 500 K приводит к смене кинетики релаксации насыщенной ядерной спиновой системы. При 300 K кинетика релаксации отвечает прямому электронно-ядерному взаимодействию с неоднородно распределенными парамагнитными центрами, введенными при пластической деформации кристаллов. При 500 K спиновая релаксация реализуется путем ядерной спиновой диффузии и электронно-ядерным взаимодействием с акцепторной примесью. Обнаружено влияние пластической деформации на спектры ЭПР при 9 K.