Распределение изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si и $^{30}$Si под действием пластической деформации в приповерхностных слоях кристаллов Si : B

Обнаружено перераспределение изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si и $^{30}$Si в приповерхностных слоях монокристаллов Si : B после их пластической деформации. Установлено, что после деформации профиль распределения изотопов $^{28}$Si, $^{29}$Si становится более плавным, а распределение изотопа $^{30}$Si не изменяется. Обнаружено изменение приповерхностного профиля оксида $^{29}$SiO, которое свидетельствует о миграции изотопа $^{29}$Si в составе кислородных комплексов при пластической деформации.