Исследование полей рассеяния периодической полосковой структуры из тонких магнитных пленок

С использованием феноменологической модели вычислены компоненты полей рассеяния периодической планарной полосковой структуры из тонких магнитных пленок, обладающих одноосной магнитной анизотропией в плоскости. Исследованы закономерности поведения зависимостей этих полей от конструктивных параметров структуры. Полученные результаты хорошо согласуются с результатами численного анализа микромагнитной модели исследованной структуры. Показано, что вблизи краев полосок при их намагничивании ортогонально длинной оси компоненты полей рассеяния могут на порядки превосходить величину внешнего намагничивающего поля. Этот факт позволяет создавать конструкции высокоэффективных магниторезистивных элементов на основе полосковой структуры из магнитных пленок и тонких полупроводниковых пленок.