RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 1, страницы 125–130 (Mi ftt10118)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Сегнетоэлектричество

Изменение диэлектрических свойств триглицинсульфата в постоянном магнитном поле

Е. С. Иванова, И. Д. Румянцев, Е. А. Петржик

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследовано влияние постоянного магнитного поля на диэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата. Показано, что после магнитной обработки кристалла (2 T, 20 min) происходит сужение петли гистерезиса, т. е. уменьшение коэрцитивного поля, а также изменение величины диэлектрической проницаемости в области фазового перехода. Эффект анизотропен по отношению к ориентации кристалла в магнитном поле. Он наблюдается, когда вектор магнитной индукции перпендикулярен полярной оси кристалла. При этом взаимная ориентация магнитного поля и доменной структуры определяет его знак. Добавление в кристалл примеси хрома делает эффект ярче и приводит к изменению кинетики магнитостимулированного роста диэлектрической проницаемости.

Поступила в редакцию: 23.06.2015


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2016, 58:1, 127–133

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024