Аннотация:
Исследовано влияние постоянного магнитного поля на диэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата. Показано, что после магнитной обработки кристалла (2 T, 20 min) происходит сужение петли гистерезиса, т. е. уменьшение коэрцитивного поля, а также изменение величины диэлектрической проницаемости в области фазового перехода. Эффект анизотропен по отношению к ориентации кристалла в магнитном поле. Он наблюдается, когда вектор магнитной индукции перпендикулярен полярной оси кристалла. При этом взаимная ориентация магнитного поля и доменной структуры определяет его знак. Добавление в кристалл примеси хрома делает эффект ярче и приводит к изменению кинетики магнитостимулированного роста диэлектрической проницаемости.