Межзонное электронное рассеяние света в полупроводниках в скрещенных магнитном и электрическом полях

Исследовано межзонное электронное рассеяние света (МЭРС) в полупроводниках в скрещенных магнитном и электрическом полях, проходящее без участия фононов. В этом случае дифференциальное сечение процесса МЭРС проявляет более сложную зависимость от частот поглощаемого и испускаемого света по сравнению со случаем ${{\mathbf E}={\mathbf B}=0}$ (или ${{\mathbf E}=0}$, ${{\mathbf B}\ne0}$), где ${\mathbf E}({\mathbf B})$ — электрическое (магнитное) поле. Обсуждается природа новых пиков в сечении процесса, показано, что прежние пики (при ${{\mathbf E}=0}$, ${{\mathbf B}\ne0}$) сдвинуты, а интенсивность вторичного излучения критически зависит от электрического поля ${\mathbf E}$.