Смена механизма оптической бистабильности в GaSe

В широком интервале температур (4.2$-$290 K) исследованы свойства оптической бистабильности в полупроводнике GaSe при зона-зонном возбуждении излучением непрерывного аргонового лазера (${\lambda=514.5}$ нм). Установлено, что при плавном изменении температуры бистабильного элемента $T$ существуют две области: ${T<T_{\text{кр}}}$ и ${T>T_{\text{кр}}}$, в которых наблюдается плавная перестройка гистерезиса, а вблизи ${T_{\text{кр}}\simeq50}$ K в пределах нескольких градусов происходит скачкообразное изменение вида гистерезисной петли. Наблюдаемое поведение оптической бистабильности объясняется с помощью двух механизмов нелинейности: при ${T<T_{\text{кр}}}$ доминирует механизм нелинейности, обусловленный перенормировкой ширины запрещенной зоны за счет образования электронно-дырочной плазмы, а при ${T>T_{\text{кр}}}$ доминирует тепловой механизм. Вблизи $T_{\text{кр}}$ происходит смена механизма оптической бистабильности.