Косвенное взаимодействие $4f$-электронов с лигандами через заполненные $5p$-оболочки

Получены простые аналитические выражения для расчета вкладов в параметры кристаллического поля из-за косвенной связи $4f$-электронов с лигандами через заполненную $5p$-оболочку. Показано, что ковалентный вклад, обусловленный процессами переноса заряда, доминирует над вкладом простого перекрывания и экранирует гармонику кристаллического поля второго ранга.