Неустойчивость однородного распределения заряженной примеси замещения в полупроводниках

Предложен механизм неустойчивости однородного распределения примеси в полупроводнике, связанный с эффектом вакансионного ветра и отклонением от локальной нейтральности при возникновении флуктуации концентрации примеси. Показано, что механизм может реализоваться при облучении кремния, легированного элементами III или V групп.