Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием

Исследовался сверхпроводящий переход СП в Sn$_{1-x}$In$_{x}$Te$_{1+y}$ при ${T\gtrsim0.4}$ K (полукристаллические образцы и тонкие слои на слюде). Температура СП $T_{c}$ и производная второго критического магнитного поля $H_{c2}$ по температуре при ${T\to T_{c}}$ (определяемая плотностью состояний на уровне Ферми) при фиксированном содержании индия ${N_{\text{In}}=\mathrm{const}}$ немонотонно зависит от концентрации избыточного теллура, являющегося акцептором. Значения параметров СП пороговым образом зависят от содержания индия и монотонно возрастают при увеличении ${N_{\text{In}}=2\div16}$ ат.%. Результаты интерпретируются в рамках модели примесной полосы индия, расположенной на фоне сплошного спектра валентной зоны.