Аннотация:
Рассмотрена роль дислокаций в процессе движения жидких включений в кристаллах, для которых характерен механизм послойного роста и растворения. Обсуждаются результаты опытов по движению в температурном градиенте включений водного раствора в монокристаллах КСl с различной степенью дислоцированности. Показано, что включения могут перемещаться только при условии, что лобовая грань включения пересекается винтовыми дислокациями. Выяснена причина существования порогового размера, ниже которого включения в данном силовом поле неподвижны независимо от пересечения их дислокациями. Причина пороговости состоит в торможении ступени растворения контуром лобовой грани, если он отстоит от выхода дислокации на расстоянии, меньшем диаметра критического зародыша. Следствием этого предположения является линейная зависимость порогового размера от $\nabla T^{-1/2}$, что подтверждается экспериментально.