Измерение малых деформаций в тонких эпитаксиальных пленках кремния методом фотоэлектронной эмиссии, возбужденной стоячей рентгеновской волной

Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований угловой зависимости выхода рентгеновских фотоэлектронов в условиях динамической дифракции рентгеновских лучей по Брэггу в кристаллах кремния с автоэпитаксиальной пленкой на поверхности. Использование высокого порядка отражения (444) позволило значительно повысить чувствительность метода стоячих рентгеновских волн в случае фотоэлектронной эмиссии и в явном виде зафиксировать на экспериментальной кривой смещение поверхности вследствие релаксации кристаллической решетки на малые доли межплоскостного расстояния. Получены аналитические формулы, описывающие угловую зависимость фотоэмиссии в бикристалле при произвольном соотношении между параметрами.