Неустойчивость сверхпроводящего состояния в джозефсоновских туннельных переходах

В экспериментах на низкоомных джозефсоновских туннельных переходах Sn$-$I$-$Sn получена неустойчивость сверхпроводника, которая проявляется на вольт-амперной характеристике (ВАХ) в виде скачкообразного уменьшения напряжения при достижении им значения $2\Delta/e$. При приложении небольшого магнитного поля H параллельного плоскости перехода, которое подавляет нестационарный эффект Джозефсона, участок ВАХ с отрицательным наклоном исчезает. Зависящая от $H$ компонента тока неустойчивости, так же как и постоянная составляющая тока Джозефсона вблизи $2\Delta/e$, может быть аппроксимирована функцией $H^{-2}$. Наблюдаемая особенность связывается с наличием максимума сверхпроводящей компоненты тока при ${V=2\Delta/e}$, обусловленного риделевской особенностью.