Экситонно-примесные комплексы в германии

Исследованы спектры излучения комплексов в Ge, легированном Sb, As и Ga в магнитном поле и в условиях сильного одноосного сжатия кристаллов. Определены их структура и основные параметры: энергия связи, $g$-факторы электронов и дырок и диамагнитные восприимчивости. Энергия связи ординарных экситонно-примесных комплексов на акцепторах в сильно сжатых кристаллах оказывается в полтора раза меньше, чем на донорах. Найдено, что диамагнитная восприимчивость экситонов, связанных на примеси, в два раза меньше, чем свободных; при присоединении второго экситона к примеси, когда один из электронов попадает в оболочку, следующую за $1s$, диамагнитная восприимчивость комплекса сильно возрастает. Обнаружено, что отщепленная деформацией валентная зона оказывает значительное влияние на величину зеемановского расщепления дырочной оболочки в комплексах уже при магнитных расщеплениях, на порядок меньших деформационных. В недеформированном Ge наблюдается сильная анизотропия пара- и диамагнетизма комплексов.