Исследование локализованных состояний в алмазоподобных полупроводниках методом функций Грина: точечные дефекты и комплексы из двух точечных дефектов в кремнии

Описан вариант метода функций Грина в базисе из эквивалентных орбиталей для расчета локализованных состояний в алмазоподобных полупроводниках. Получена зонная структура кремния в рамках метода сильной связи с учетом взаимодействия связей вплоть до четвертых соседей. Рассчитаны электронные состояния точечных дефектов (вакансия, фосфор, сера) и их комплексов (дивакансия, фосфор + вакансия) в кремнии.