Туннелирование с глубоких примесных центров в сильном электрическом поле

Вычислены вероятности туннелирования электрона с глубоких примесных центров в зону проводимости и дырки в валентную зону. Для описания локализованных электронных состояний использовалась модель потенциала нулевого радиуса, учитывающая взаимодействие как с зоной проводимости, так и с валентной зоной. Показано, что эффективная энергия уровня для туннелирования отличается от реального положения уровня в запрещенной зоне в силу кейновского характера спектра в туннельной области.