Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола
Аннотация:
Теоретически оценивается эффективная ширина $l_{\text{'a}}$ доменной стенки в сегнетоэлектрике с дефектами, в качестве которой принимается толщина слоя, в пределах которого располагается локально изогнутая за счет взаимодействия с дефектами доменная граница. Определена величина $l_{\text{эф}}$ для различной концентрации точечных и линейных дефектов в кристалле при различной ориентации последних.
УДК:
537.226
Поступила в редакцию: 23.02.1984 Исправленный вариант: 23.06.1984