Измерение особенностей в оптическом поглощении тонких полупроводниковых пленок

С помощью новой дифференциальной методики изучены спектры поглощения тонких монокристаллических пленок CdTe при низких температурах в области экситонных переходов. Полученные экспериментальные данные объясняются размерным квантованием энергетических зон электронов и дырок. Показано, что данные оптических измерений позволяют качественно судить о совершенстве кристаллической структуры тонких полупроводниковых пленок.