Расчет мелких и глубоких примесных состояний в Ge и Si с помощью вариационного метода Фейнмана

На основе вариационного метода Фейнмана с использованием континуальных средних рассчитана энергия основного состояния примеси элементов V (мелкие доноры) и VI (глубокие доноры) групп периодической системы элементов в Ge и Si. Показано, что для этих элементов при учете пространственной зависимости диэлектрической проницаемости $\varepsilon(r)$ можно в единой теоретической схеме описать энергетический спектр мелких и глубоких примесных уровней.