Изменение параметров сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны

Обнаружен новый фотосегнетоэлектрический эффект. Диэлектрическая проницаемость кристалла BaTiO$_{3}$ при воздействии сильного электромагнитного поля частотой ${\Omega<E_{g}}$ увеличивается на 20$-$30% в широком диапазоне температур выше и ниже перехода. Температура Кюри растет на несколько градусов, константа Кюри–Вейсса также возрастает. Эффект существенно нелинеен и наблюдается лишь при напряженности поля более $10^{5}$ В/см. Изменение параметров сегнетоэлектрика в поле сильной электромагнитной волны связывается с поляризацией электронной подсистемы: в поляризационном операторе появляются новые члены, логарифмически расходящиеся на малых частотах. Это увеличивает электрон-фононное взаимодействие и меняет динамику фазового перехода.