Гистерезисные явления в тонких сверхпроводящих пленках, связанные с локальным дефектом

Дефекты края пленочных сверхпроводников, запитанных током, локально снижают потенциальный барьер для вхождения линий магнитного потока в образец. В результате в местах расположения неоднородностей образуются тепловые (резистивные) домены при токах, меньших величины тока исчезновения барьера для проникновения вихря в идеальную пленку, а на образце появляется напряжение. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) таких тонкопленочных образцов обладает рядом специфических свойств. В работе изучены возможные типы ВАХ пленочных структур и проведено сопоставление теоретических выводов с экспериментом.