Магнетопоглощение в собственных полупроводниках в поле резонансного ИК излучения

Изучено влияние низкочастотного лазерного излучения на междузонный коэффициент поглощения зондирующего света в однородном магнитном поле, когда частота ИК излучения близка к циклотронной частоте. Показано, что при небольших значениях интенсивности резонансного ИК излучения первый пик магнетопоглощения уширяется, а $n$-й пик расщепляется на $n$ компонент. Исследовано влияние статистических свойств лазерного излучения, колебаний кристаллической решетки и конечности ширины зоны проводимости на предсказываемые эффекты.