Распределение примеси теллура вблизи дислокаций в монокристаллах GaAs

Распределение примеси Те около дислокаций роста в монокристаллах сильнолегированного GaAs исследовалось с помощью автоматического рентгеноспектрального микроанализа и растровой микрокатодолюминесценции (МКЛ). Измерения проводились по линии, пересекающей десяти-, двадцатимикронную область МКЛ изображения одиночной дислокации. Показано, что концентрация примеси в этой области не отличается от ее концентрации вдали от дислокации с точностью ${\sim10}$%. Повышение точности измерений, возможное в условиях такого эксперимента путем усреднения интенсивности характеристического рентгеновского излучения примеси по большому числу аналогичных дислокаций, позволило зарегистрировать обнаруженное превышение концентрации примеси в центре наблюдаемой в МКЛ области, окружающей дислокацию, на ${6.3\pm2.4}$% по сравнению с объемом кристалла.